smart-elements 03933说明书
高纯黑磷 – 大晶体 1.0g – 99.998% 纯度
在氩气下密封在安瓿中
现在有货！
气相传输产生的高纯黑色磷晶体——高光泽且非常稳定的晶体具有蓝黑色金属光泽。您会得到 1 – 2 个晶体簇，从中可以分离出尺寸最大为 8 毫米的单晶。适用于透明胶带法或液体去角质。这些样品非常适合半导体实验。
与其他市售材料不同。这种材料是通过我们实验室开发的一种改进的气相沉积方法生产的，它实际上消除了常见的污染物。
二维材料，有时也称为单层材料，是由单层原子组成的晶体材料。这些材料已用于光伏、半导体、电极和水净化等应用。
二维材料通常可以归类为各种元素或化合物的二维同素异形体（由两个或多个共价键元素组成）。元素 2D 材料的名称通常带有 -ene 后缀，而化合物带有 -ane 或 -ide 后缀。不同二维材料的分层组合通常称为范德华异质结构。
2D 功能层与 3D (3D) 系统的有效集成仍然是一个重大挑战，限制了设备性能和电路设计。
据预测，大约有 700 种二维材料是稳定的，但仍有许多有待合成。到 2025 年，全球二维材料市场预计将达到 3.9 亿美元，主要用于半导体、电子、电池能源和复合材料市场中的石墨烯。
smart-elements 04951-4-1说明书
€ 124,17
o-SiP 正交磷化硅小晶体 80mg
氩气下安瓿中的较小单晶。你得到图片上显示的安瓿。
SKU：04951-4-1 分类：2D-Material ,纯元素
o-SiP 正交磷化硅
特性： 铜光泽，红色半透明晶体片。空气稳定，浓度稳定。非氧化性酸。熔点 ~ 1110–1130 °C
正交 SiP (o-SiP) 是一种二维层状晶体，可能对光电技术产生重大影响。
差示扫描量热法 (DSC) 和热重
分析 (TGA) 曲线表明，即使
在 1045 °C 的温度下，o-SiP 也是热稳定的。这对于器件
制造和实际应用非常重要。与石墨烯不同，o-SiP
具有适当的带隙，确定为 1.7 eV。
体 o-SiP 是一种 p 型半导体，其载流子迁移
率为 2.034 × 103 cm2 V-1 s-1，是 MoS2 的十倍。
o-SiP的光响应特性通过
使用 671 nm 激光的激发研究，分别具有 20、40、60、80、100
和 120 mW 的不同功率。合适的带隙
和足够高的载流子迁移率，以及清晰的光开关
行为和相对较快的响应，使
o-SiP成为二维电子和光电
材料成为可能。